国内产业结构
近年来，I国紫外uvled技术应用发展相对较快。 除了一些科研机构对UVLED的研究取得丰硕成果外，国内LED公司也在紫外led领域上开放自己的市场。紫外led芯片的波长越短，技术难度就越大，紫外led芯片场越深具有广阔的前景。
未来的研究方向
基于紫外led芯片的研究现状，预计其未来的研究和发展方向将包括以下几个方面：高质量的深紫外材料外延生长技术的研究； 高铝成分的AlGaN材料生长技术和掺杂杂项技术； 深紫外LED结构设计；300nm以下的波长led器件芯片制作工艺和封装技术；UV源模块开发及其在医疗，消毒和净化应用中的应用； 近紫外LED激发磷光体以制备高性能的白光LED。
未来的技术问题
将来要解决的技术问题是在蓝宝石衬底上mocvd外延高质量AlN模板的增长；algan量子阱发光机理研究与结构控制技术；p型高al组分algan掺杂技术研究； 产量低欧姆接触电极； 解决当前的拥塞效应；紫外led出光效率改进技术； 高效合成荧光材料； 耐热，抗UV包装材料的研究； 深紫外LED器件技术和封装技术； 深海UVLED模块开发的应用等。在国内外众多UVLED研究人员的共同努力下，相信紫外led芯片的应用前景将是光明的。